Samsung 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ-75E500B)
Samsung 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ-75E500B)
725,99 RON
Oferte pentru produsul Samsung 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ-75E500B)
Ofertele pentru produsul
Caracteristici, descrierea produsului - Samsung 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ-75E500B)
Galerie - Samsung 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ-75E500B)
Evoluţie preţ
Puteti obtine informatii privind evolutia pretului
Alerta pret
Serviciul Alerta pret va anunta daca pretul produsului ales scade sub suma precizata.
Pretul minim actual al produsului: 725,99 RON
Alte produse cu caracteristici asemănătoare
Alte produse Samsung: Samsung Solid State Drive SSD intern
Descrierea produsului
| Mărime | 2,5 inch |
| Capacitate SSD | 500 GB |
| Format NAND | TLC |
| Viteza maxima de citire SSD | 540 MB/s |
| Viteza maxima de scriere SSD | 520 MB/s |
| Capacitate scriere (TBW) | 150 TBW |
| Radiator | Nu |
| Iluminare LED | Nu |
| Conectori | SATA3 |
Dimensiuni | |
| Latime | 69.8 mm |
| Inaltime | 7 mm |
| Adancime | 100 mm |
| Greutate | 66 g |
Ați găsit greşeli în descrierea produsului? Vă rugăm să ne trimiteți o notificare!
Producator: Samsung
Model: 850 EVO Basic 2.5" 500GB SATA3 MZ-75E500B/EU
Caracteristici
SSD Intern Samsung 850 EVO Negru
Ce este 3D V-NAND si cum se deosebeste de tehnologia existent ? Tehnologia unica si inovatoare 3D V-NAND flash este o descoperire in depasirea limitarilor densitatii, performantei si rezistentei. 3D V-NAND este realizata prin asezarea a 32 de straturi de celule, unul peste altul, rezultatul fiind o mai mare densitate si o performanta mai buna.
Tehnologie TurboWrite pentru viteze de citire/scriere de neegalat
Obtineti performanta de citire/scriere ridicata pentru a maximiza experienta de utilizare a calculatorului cu Samsung TurboWrite. 850 EVO ofera o rata de transfer la citire de pana la 540 MB/s si 520 MB/s la scriere.
Utilizare de durata cu imbunatatirea eficientei energetice sustinuta de 3D V-NAND
850 EVO ofera bateriei o durata de viata semnificativ mai mare cu un controler optimizat pentru 3D V-NAND care permite activarea Device Sleep la o eficienta ridicata de 2mW.
Denumiri similare la Solid State Drive SSD intern Samsung 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ-75E500B): 850 EVO Basic 2 5 500 GB SATA 3 MZ 75 E 500 B, 850EVOBasic25500GBSATA3MZ75E500B, 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ 75E500B), 850EVOBasic25500GBSATA3MZ-75E500B
![]()
![]()
![]()
![]()
Model: 850 EVO Basic 2.5" 500GB SATA3 MZ-75E500B/EU
Caracteristici
SSD Intern Samsung 850 EVO Negru
Ce este 3D V-NAND si cum se deosebeste de tehnologia existent ? Tehnologia unica si inovatoare 3D V-NAND flash este o descoperire in depasirea limitarilor densitatii, performantei si rezistentei. 3D V-NAND este realizata prin asezarea a 32 de straturi de celule, unul peste altul, rezultatul fiind o mai mare densitate si o performanta mai buna.
Tehnologie TurboWrite pentru viteze de citire/scriere de neegalat
Obtineti performanta de citire/scriere ridicata pentru a maximiza experienta de utilizare a calculatorului cu Samsung TurboWrite. 850 EVO ofera o rata de transfer la citire de pana la 540 MB/s si 520 MB/s la scriere.
Utilizare de durata cu imbunatatirea eficientei energetice sustinuta de 3D V-NAND
850 EVO ofera bateriei o durata de viata semnificativ mai mare cu un controler optimizat pentru 3D V-NAND care permite activarea Device Sleep la o eficienta ridicata de 2mW.
Denumiri similare la Solid State Drive SSD intern Samsung 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ-75E500B): 850 EVO Basic 2 5 500 GB SATA 3 MZ 75 E 500 B, 850EVOBasic25500GBSATA3MZ75E500B, 850 EVO Basic 2.5 500GB SATA3 (MZ 75E500B), 850EVOBasic25500GBSATA3MZ-75E500B
Galerie
Prețurile și informațiile de pe paginile noastre sunt furnizate de magazinele partenere și au caracter informativ, unele erori pot apărea. Imaginile produselor au caracter informativ, uneori pot include niște accesorii care nu sunt mereu incluse în pachetul de baza. Informațiile aferente produsului (imagine, descriere, preț) se pot schimba fără notificare prealabilă. Compari.ro nu își asumă responsabilitate pentru eventualele greșeli.
